:quality(85))
Texas Instruments (TI) đã công bố vào ngày 15/02/2023 về kế hoạch xây dựng nhà máy sản xuất tấm bán dẫn (wafer fabrication plant hoặc fab) 300 mm thứ hai tại Lehi, Utah. Nhà máy mới này sẽ được đặt cạnh fab bán dẫn 300 mm hiện tại của công ty và sẽ vận hành như một fab duy nhất sau khi hoàn thành.
Lehi là một vị trí lý tưởng nhờ tiếp cận nguồn nhân lực có tay nghề cao, hạ tầng hiện có vững mạnh và mạng lưới đối tác cộng đồng rộng lớn. Nhà máy mới sẽ sản xuất hàng triệu chip analog và xử lý nhúng mỗi ngày, phục vụ cho các thiết bị điện tử trên toàn cầu.
Công ty cho biết khoản đầu tư 11 tỷ USD là lớn nhất trong lịch sử Utah và dự kiến tạo ra 800 việc làm trực tiếp cùng hàng nghìn việc làm gián tiếp cho khu vực này. TI cũng sẽ đầu tư 9 triệu USD để nâng cao cơ hội học tập cho học sinh tại Học khu Alpine gần đó.
Nhà máy 300 mm tiên tiến này sẽ được xây dựng theo các tiêu chuẩn bền vững cao nhất của LEED (Lãnh đạo về thiết kế năng lượng và môi trường), nhằm tiếp tục giảm thiểu chất thải, nước và năng lượng tiêu thụ trên mỗi chip. Việc xây dựng fab mới dự kiến bắt đầu vào nửa cuối năm 2023; thiết kế đáp ứng xếp hạng LEED Gold. Dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất sớm nhất từ năm 2026.
Ông Haviv Ilan, chủ tịch kiêm giám đốc điều hành sắp tới của TI, chia sẻ: “Nhà máy mới này là một phần của lộ trình sản xuất bán dẫn 300 mm dài hạn của chúng tôi, nhằm xây dựng năng lực đáp ứng nhu cầu của khách hàng trong nhiều thập kỷ tới. Quyết định xây dựng fab thứ hai tại Lehi thể hiện cam kết mạnh mẽ của chúng tôi với Utah. Đây là minh chứng cho đội ngũ nhân sự tài năng tại đây, những người sẽ đặt nền móng cho một chương quan trọng tiếp theo trong tương lai của TI. Với sự tăng trưởng dự báo của ngành bán dẫn trong điện tử, đặc biệt là công nghiệp và ô tô, cũng như sự thông qua Đạo luật CHIPS and Science, chưa bao giờ là thời điểm thích hợp hơn để tiếp tục đầu tư vào năng lực sản xuất nội bộ.”
Chi phí xây dựng nhà máy mới đã được tính trong kế hoạch chi tiêu vốn mà TI công bố trước đó nhằm mở rộng năng lực sản xuất. Dự án này sẽ bổ sung cho các fab 300 mm hiện tại của TI, bao gồm DMOS6 (Dallas), RFAB1 và RFAB2 (đều tại Richardson, Texas), và LFAB (Lehi, Utah). TI cũng đang xây dựng bốn fab sản xuất wafer 300 mm mới tại Sherman, Texas.
