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Texas Instruments (TI) anunció el 15 de febrero de 2023 su plan para construir una segunda planta de fabricación de obleas semiconductoras de 300 milímetros (también conocida como fab) en Lehi, Utah. La nueva planta estará ubicada junto a la actual fábrica de obleas semiconductoras de 300 mm de la compañía y, una vez finalizada, operará como una única instalación.
Lehi es una ubicación ideal debido a su acceso a talento cualificado, infraestructura sólida existente y una fuerte red de aliados comunitarios. La nueva planta fabricará millones de chips analógicos y de procesamiento embebido cada día, que se incorporarán a dispositivos electrónicos en todas partes.
La compañía afirmó que la inversión de 11.000 millones de dólares es la mayor en la historia de Utah y se espera que genere 800 empleos directos y miles de empleos indirectos en la zona. TI también invertirá 9 millones de dólares para mejorar las oportunidades estudiantiles en el cercano distrito escolar Alpine.
La avanzada instalación de 300 mm se construirá conforme a los más altos estándares de sostenibilidad de LEED (Leadership in Energy and Environmental Design, Liderazgo en Energía y Diseño Ambiental) para reducir aún más los residuos y el consumo de agua y energía por chip. Se prevé que la construcción de la nueva planta comience en la segunda mitad de 2023; estará diseñada para alcanzar la certificación LEED Gold. Se espera que la producción inicie en 2026.
Haviv Ilan, próximo presidente y director ejecutivo de TI, declaró: «Esta nueva planta forma parte de nuestra hoja de ruta a largo plazo para la fabricación de 300 mm y busca crear la capacidad que nuestros clientes necesitarán durante décadas. Nuestra decisión de construir una segunda planta en Lehi refuerza nuestro compromiso con Utah. Es un testimonio de la calidad del equipo allí, quien sentará las bases para un nuevo capítulo importante en el futuro de TI. Con el crecimiento anticipado de los semiconductores en la electrónica, especialmente en los sectores industrial y automotriz, y la promulgación de la Ley CHIPS y de Ciencia, no existe mejor momento para ampliar aún más nuestra capacidad de fabricación interna».
El coste de la nueva planta está contemplado dentro del plan de inversión de capital previamente anunciado por TI para ampliar su capacidad de fabricación. Esta nueva instalación complementará las fabs de 300 mm ya existentes de TI, que incluyen DMOS6 (Dallas), RFAB1 y RFAB2 (ambas en Richardson, Texas), y LFAB (Lehi, Utah). TI también está construyendo cuatro nuevas plantas de obleas de 300 mm en Sherman, Texas.
