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Texas Instruments (TI) ha annunciato il 15 febbraio 2023 l’intenzione di costruire un secondo impianto di produzione di wafer di semiconduttori da 300 millimetri (fab) a Lehi, Utah. Il nuovo impianto sorgerà accanto all’attuale fabbrica di wafer da 300 mm della società e, una volta completato, opererà come un’unica fabbrica.
Lehi è una posizione ideale grazie all’accesso a personale qualificato, all’infrastruttura già consolidata e a una solida rete di partner locali. Il nuovo fab produrrà ogni giorno milioni di chip analogici e di elaborazione embedded destinati a dispositivi elettronici di ogni settore.
L’azienda ha dichiarato che l’investimento di 11 miliardi di dollari rappresenta il più grande nella storia dello Utah e porterà nell’area 800 posti di lavoro diretti e migliaia di posti di lavoro indiretti. TI investirà inoltre 9 milioni di dollari per migliorare le opportunità degli studenti presso l’Alpine School District situato nelle vicinanze.
Il nuovo impianto avanzato da 300 mm sarà realizzato secondo i più elevati standard di sostenibilità LEED (Leadership in Energy and Environmental Design) per ridurre ulteriormente i rifiuti e il consumo di acqua ed energia per chip prodotto. L’inizio dei lavori di costruzione del nuovo fab è previsto per la seconda metà del 2023; sarà progettato per ottenere la certificazione LEED Gold. L’avvio della produzione è previsto già dal 2026.
Haviv Ilan, prossimo presidente e amministratore delegato di TI, ha dichiarato: «Questo nuovo impianto fa parte della nostra roadmap di lungo termine per la produzione da 300 mm e ci consentirà di sviluppare la capacità di cui i nostri clienti avranno bisogno per i decenni futuri. La decisione di costruire un secondo impianto a Lehi sottolinea il nostro impegno verso lo Utah e testimonia l’eccellenza del team locale, che porrà le basi per un nuovo capitolo nella storia di TI. Con la crescita prevista dei semiconduttori nell’elettronica, in particolare nei settori industriale e automotive, e l’approvazione del CHIPS and Science Act, questo è il momento ideale per investire ulteriormente nella capacità produttiva interna.»
Il costo del nuovo impianto rientra nel piano di investimenti in conto capitale già annunciato da TI per ampliare la capacità produttiva. Il nuovo stabilimento andrà a integrare le fabbriche da 300 mm già operative, tra cui DMOS6 (Dallas), RFAB1 e RFAB2 (entrambe a Richardson, Texas) e LFAB (Lehi, Utah). Inoltre, TI sta costruendo quattro nuovi impianti per wafer da 300 mm a Sherman, Texas.
