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A Texas Instruments (TI) anunciou em 15 de fevereiro de 2023 o plano de construir uma segunda fábrica de wafers semicondutores de 300 milímetros (ou fab) em Lehi, Utah. A nova fab será localizada ao lado da atual unidade de 300 mm da empresa e, quando concluída, ambas operarão como uma única fab.
Lehi é um local ideal devido ao acesso a profissionais qualificados, infraestrutura robusta existente e uma forte rede de parceiros comunitários. A nova fab irá fabricar diariamente milhões de chips analógicos e de processamento embarcado que estarão presentes em eletrônicos em todo lugar.
A empresa afirmou que o investimento de US$ 11 bilhões é o maior da história de Utah e deverá trazer 800 empregos diretos e milhares de empregos indiretos para a região. A TI também investirá US$ 9 milhões para ampliar as oportunidades dos estudantes no Alpine School District, localizado nas proximidades.
A avançada fab de 300 mm será construída de acordo com os mais altos padrões de sustentabilidade do LEED (Leadership in Energy and Environmental Design, Liderança em Energia e Design Ambiental), visando reduzir ainda mais o desperdício e o consumo de água e energia por chip. A construção da nova fab deve começar no segundo semestre de 2023, com projeto para atingir a classificação LEED Gold. A produção está prevista para começar já em 2026.
Haviv Ilan, futuro presidente e CEO da TI, declarou: "Essa nova fab faz parte do nosso plano de longo prazo para fabricação em 300 mm, a fim de construir a capacidade que nossos clientes vão precisar nas próximas décadas. Nossa decisão de construir uma segunda fab em Lehi reforça nosso compromisso com Utah. É um testemunho da equipe talentosa do local, que vai preparar o caminho para mais um capítulo importante no futuro da TI. Com a perspectiva de crescimento dos semicondutores em eletrônicos, principalmente nos setores industrial e automotivo, e a aprovação do CHIPS and Science Act, não há momento melhor para investir ainda mais em nossa capacidade interna de fabricação."
O custo da nova fab está contemplado no plano de investimento de capital previamente anunciado pela TI para ampliar a capacidade de fabricação. Ela complementará as fabs de 300 mm já existentes da TI, incluindo DMOS6 (Dallas), RFAB1 e RFAB2 (ambas em Richardson, Texas) e LFAB (Lehi, Utah). Além disso, a TI está construindo quatro novas fabs de wafers de 300 mm em Sherman, Texas.
