:quality(85))
Texas Instruments (TI) kondigde op 15 februari 2023 hun plan aan om een tweede 300-millimeter halfgeleider-waferfabriek (of fab) te bouwen in Lehi, Utah. De nieuwe fab wordt naast de bestaande 300-mm halfgeleider-waferfabriek van het bedrijf gevestigd en zal na voltooiing als één geïntegreerde fab opereren.
Lehi is een ideale locatie vanwege de toegang tot gekwalificeerd talent, een robuuste bestaande infrastructuur en een krachtig netwerk van lokale partners. De nieuwe fab zal dagelijks miljoenen analoge en embedded processing-chips produceren die in allerlei elektronische apparaten worden toegepast.
Het bedrijf verklaarde dat de investering van $11 miljard de grootste in de geschiedenis van Utah is en naar verwachting 800 directe en duizenden indirecte banen in de regio zal opleveren. TI zal daarnaast $9 miljoen investeren om studiemogelijkheden bij het nabijgelegen Alpine School District te verbeteren.
De geavanceerde 300-mm fab wordt gebouwd volgens de hoogste LEED (Leadership in Energy and Environmental Design) duurzaamheidsnormen, om afval, water- en energieverbruik per chip verder te reduceren. De bouw van de nieuwe fab start naar verwachting in de tweede helft van 2023 en het ontwerp zal voldoen aan de LEED Gold-classificatie. De productie wordt verwacht in 2026 van start te gaan.
Haviv Ilan, de aankomende president en chief executive officer van TI, zei: "Deze nieuwe fab maakt deel uit van onze langetermijnroadmap voor 300-mm productiecapaciteit, waarmee wij voldoen aan de behoeften van onze klanten voor de komende decennia. Onze beslissing om een tweede fab in Lehi te bouwen, onderstreept onze toewijding aan Utah. Het is een erkenning van het getalenteerde team aldaar, dat de basis legt voor weer een belangrijk hoofdstuk in TI’s toekomst. Met de verwachte groei van halfgeleiders in elektronica — vooral in de industrie en automotive — en de goedkeuring van de CHIPS and Science Act, is er geen beter moment om extra te investeren in onze eigen productiecapaciteit."
De kosten van de nieuwe fab zijn opgenomen in TI’s eerder aangekondigde investeringsplan voor uitbreiding van de productiecapaciteit. Het nieuwe complex vormt een aanvulling op de bestaande 300-mm fabs, waaronder DMOS6 (Dallas), RFAB1 en RFAB2 (beide in Richardson, Texas), en LFAB (Lehi, Utah). Daarnaast bouwt TI vier nieuwe 300-mm waferfabs in Sherman, Texas.
