:quality(85))
Texas Instruments (TI) a annoncé le 15 février 2023 son projet de construction d’une seconde usine de fabrication de plaquettes de semi-conducteurs de 300 millimètres (ou « fab ») à Lehi, dans l’Utah. La nouvelle fab sera installée à côté de l’usine actuelle de plaquettes de semi-conducteurs de 300 mm de l’entreprise et, une fois achevée, elle fonctionnera comme une unité unique.
Lehi constitue un emplacement idéal en raison de l’accès à une main-d’œuvre qualifiée, à une infrastructure déjà développée et à un solide réseau de partenaires locaux. La nouvelle fab produira des millions de puces analogiques et de traitement embarqué chaque jour, qui seront intégrées dans des équipements électroniques du monde entier.
L’entreprise a indiqué que l’investissement de 11 milliards de dollars représente le plus important de l’histoire de l’Utah et devrait créer 800 emplois directs ainsi que plusieurs milliers d’emplois indirects dans la région. TI investira également 9 millions de dollars pour favoriser l’accès des étudiants aux opportunités dans l’Alpine School District, à proximité.
La fab avancée de 300 mm sera construite selon les normes de durabilité les plus élevées du LEED (Leadership in Energy and Environmental Design) afin de réduire davantage les déchets ainsi que la consommation d’eau et d’énergie par puce. Le lancement du chantier de la nouvelle fab est prévu pour le second semestre 2023 ; elle sera conçue pour obtenir la certification LEED Gold. La production devrait commencer dès 2026.
Haviv Ilan, président et directeur général entrant de TI, a déclaré : « Cette nouvelle fab s’inscrit dans notre feuille de route à long terme de fabrication en 300 mm, afin de développer la capacité dont nos clients auront besoin pour les décennies à venir. Notre décision de construire une seconde fab à Lehi témoigne de notre engagement envers l’Utah. Elle atteste du talent des équipes locales, qui poseront les bases d’un nouveau chapitre majeur dans l’avenir de TI. Avec la croissance attendue des semi-conducteurs dans l’électronique, notamment pour l’industrie et l’automobile, et l’adoption du CHIPS and Science Act, il n’a jamais été aussi pertinent d’investir davantage dans notre capacité de fabrication interne. »
Le coût de la nouvelle fab est pris en compte dans le plan d’investissement déjà annoncé par TI pour accroître sa capacité de production. Cette fab viendra compléter les unités de fabrication 300 mm existantes, dont DMOS6 (Dallas), RFAB1 et RFAB2 (toutes deux à Richardson, Texas), ainsi que LFAB (Lehi, Utah). TI construit également quatre nouvelles fabs de 300 mm à Sherman, Texas.
