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Texas Instruments（TI）は2023年2月15日、ユタ州レーハイに2番目となる300ミリ半導体ウェハ製造工場（ファブ）を建設する計画を発表しました。新ファブは、同社の既存300ミリ半導体ウェハファブの隣接地に建設され、完成後は一つのファブとして稼働します。
レーハイは、高度な人材へのアクセス、充実した既存インフラ、地域コミュニティとの強固なネットワークによって、理想的な立地条件を備えています。新しいファブでは、日々数百万個規模のアナログおよび組み込みプロセッサチップが製造され、幅広い電子機器に搭載されます。
同社によると、今回の110億ドルの投資はユタ州史上最大規模となり、この地域に直接雇用800人、間接雇用は数千人の創出が期待されています。また、TIは近隣のAlpine School Districtの学生支援のために900万ドルの投資も行います。
最新の300ミリファブは、廃棄物・水・エネルギー消費のさらなる削減を目指し、環境・エネルギーデザインリーダーシップ（LEED、Leadership in Energy and Environmental Design）の最高水準に準拠して建設されます。新ファブの建設は2023年下半期に開始予定で、LEEDゴールド認証を目指した設計となります。生産開始は早ければ2026年を見込んでいます。
TIの次期社長兼最高経営責任者であるHaviv Ilan氏は「この新ファブは、今後数十年にわたりお客様が求める生産能力を確保するための、当社の長期300ミリ製造ロードマップの一環です。レーハイに2つ目のファブを建設する決断は、ユタ州へのコミットメントの表れであり、ここに集う優秀なチームがTIの重要な次章への礎を築くことを意味しています。産業用途や自動車分野など、電子機器における半導体の需要拡大とCHIPS and Science Actの成立により、今こそ社内生産能力のさらなる拡充に投資すべきタイミングです」と述べています。
新ファブのコストは、TIが既に発表している製造能力拡大のための設備投資計画の中に組み込まれています。新ファブは、既存の300ミリファブ（DMOS6＜ダラス＞、RFAB1およびRFAB2＜いずれもテキサス州リチャードソン＞、LFAB＜ユタ州レーハイ＞）を補完する位置づけです。さらにTIは、テキサス州シャーマンにおいて4つの新たな300ミリウェハファブを建設中です。
