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Halbleiter treiben Produkte im Wert von Billionen US-Dollar an und ermöglichen Fortschritte in den Bereichen Kommunikation, Transport, erneuerbare Energien, Gesundheitswesen, militärische Systeme und zahlreichen weiteren Anwendungen.
Chip-Lieferengpässe, geopolitische Entwicklungen und Naturkatastrophen haben in jüngster Zeit globale Schwachstellen in der Lieferkette offengelegt, Fertigungsabhängigkeiten sichtbar gemacht und Auswirkungen auf die Wirtschaft gehabt.
Im vergangenen Jahr haben die USA, China, Europa und verschiedene andere Länder Halbleiter als ein wesentliches Element für die nationale Sicherheit und den technologischen Fortschritt erklärt. Diese Regierungen haben Milliardenbeträge zugesagt, um ihre lokalen Halbleiterfertigungskapazitäten zu stärken.
Dies hat Halbleiterriesen wie GlobalFoundries, Intel, Samsung, TSMC und Texas Instruments angetrieben, mit staatlichen Subventionen weltweit neue Halbleiterproduktionsstätten aufzubauen, um ihre Produktionskapazitäten zu erweitern und geografische Risiken sowie Abhängigkeiten zu reduzieren.
Z2Data hat einen detaillierten New Global Fabs Report zusammengestellt. Hier einige Highlights. Um den vollständigen Bericht zu erhalten, bitte Kontakt zu Z2Data aufnehmen.
Neue Fabs in den USA
Das US-Chip-Gesetz im Volumen von 52 Milliarden US-Dollar wird dazu beitragen, den US-Anteil an der globalen Halbleiterfertigungskapazität zu stärken, der laut Semiconductor Industry Association (SIA) von 37 % im Jahr 1990 auf 12 % im Jahr 2021 gesunken ist. Die USA entwerfen etwa 47 % der weltweit verkauften Chips und werden mit diesen neuen Förderungen die lokale Chipproduktion sowie Forschung & Entwicklung (R&D) ausbauen. Zu den wichtigsten neuen Fabs zählen:
- GlobalFoundries (Vermont)
GlobalFoundries erhielt 30 Millionen US-Dollar an Bundesmitteln für die Erweiterung der Entwicklung und Produktion von Galliumnitrid-(GaN)-auf-Silizium-Halbleitern im GF-Werk in Essex Junction, Vermont.
- Intel (Arizona, Ohio)
Intel investiert Milliarden US-Dollar in den Bau von Fab-Komplexen in Ohio und Arizona zur Kapazitätserweiterung. Der Bau von Fab 52 und 62 auf dem Ocotillo-Campus nahe Chandler, Arizona, ist gut vorangeschritten und die Produktion soll 2024 starten; Fokus liegt hierbei auf 12-Zoll-Wafer-7nm-Technologieknoten. Zudem errichtet Intel zwei neue Fabs bei Columbus, Ohio, die voraussichtlich ab 2025 die 10nm-Technologie produzieren.
- Micron (Idaho, NY, Oregon, Texas)
Micron hat kürzlich angekündigt, bis zum Ende des Jahrzehnts über 40 Milliarden US-Dollar in fortschrittliche Speicherfertigung in den USA zu investieren. Neue Fabs in Idaho, NY, Oregon und Texas werden die DRAM-Produktion erhöhen und auf die langfristige Nachfrage in Bereichen wie Rechenzentren, Industrie, Automotive und Mobilfunk reagieren, getrieben durch die Verbreitung von Künstlicher Intelligenz und 5G. Obwohl die kurzfristige Nachfragesituation bei Speicher- und Speichermedien herausfordernd bleibt, wird erwartet, dass sich der Umsatz im Speichersektor bis 2030 verdoppelt.
Neue Fabs in Europa
Der European Chips Act sieht vor, dass die EU ihren Anteil an der weltweiten Halbleiterindustrie von derzeit 9 % bis 2030 auf 30 % steigern möchte. Das EU-Chipgesetz soll mehr als 43 Milliarden Euro an öffentlichen und privaten Investitionen für die Stärkung der europäischen Halbleiterproduktion und -forschung mobilisieren. Zu den wichtigsten Fabs gehören:
- Frankreich (STMicroelectronics & Global Joint Venture)
Eine neue, gemeinsam betriebene Fertigungsanlage für die Großserienproduktion ist geplant, um der wachsenden Nachfrage gerecht zu werden. Das Milliarden-Euro-Projekt wird mit erheblicher finanzieller Förderung Frankreichs realisiert und konzentriert sich auf die GF FDX™-Technologie sowie die 18nm- und 28nm-Technologie von ST für Automobil-, erneuerbare Energien-, IoT- und Kommunikationsinfrastruktur-Anwendungen.
- Deutschland (Infineon, Intel, TSMC)
Infineon plant, die 300-Millimeter-Fertigungskapazität weiter auszubauen und insgesamt 5 Milliarden Euro in Deutschland zu investieren.
Intel hat angekündigt, in den nächsten zehn Jahren bis zu 80 Milliarden Euro in der Europäischen Union entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette – von F&E bis Fertigung und moderne Verpackungstechnologien – zu investieren. Als Teil des Plans werden zunächst 17 Milliarden Euro in eine führende 10nm-Halbleiter-Megafab in Deutschland investiert.
TSMC plant Medienberichten zufolge ebenfalls eine neue Fab in Deutschland. Der Standort wird in Dresden angesiedelt – das größte europäische Cluster für Halbleiterunternehmen wie Infineon Technologies, NXP Semiconductors, GlobalFoundries und Bosch.
Neue Fabs in Asien
Der asiatisch-pazifische Raum ist der größte regionale Markt für Halbleiter. Laut einem Bericht der Semiconductor Industry Association (SIA) sind fast 75 % der weltweit installierten Kapazität in Ostasien (Japan, Südkorea und Taiwan) sowie China konzentriert. Diese Länder fördern die Hersteller weiterhin gezielt, um ihre Marktstellung auszubauen. Südkorea plant beispielsweise, in den nächsten zehn Jahren rund 450 Milliarden US-Dollar zu investieren, um den weltweit größten Chip-Herstellungsstandort zu etablieren, während China ebenfalls bis 2030 rund 150 Milliarden US-Dollar investiert, um eine starke heimische Halbleiterindustrie aufzubauen. Bedeutende neue Fabs sind:
- SMIC (China)
Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) hat angekündigt, die 12-Zoll, 28nm-Fabs in Shanghai, Beijing und Tianjin zu erweitern. Unterstützt von der Regierung werden sie Milliarden US-Dollar investieren, um Chinas heimische Chipindustrie zu stärken.
- Foxconn (Indien)
Vedanta und Foxconn errichten eine Halbleiter-Fab-Anlage auf 1.000 Acres in Ahmedabad, der Hauptstadt von Gujarat. Die Produktion startet 2024 und konzentriert sich vor allem auf den Bedarf der Automobil- und Mobilgerätemärkte.
- SK Hynix (Südkorea)
SK Hynix investiert über 106 Milliarden US-Dollar in den Bau eines großen Halbleiter-Fab-Komplexes südlich von Seoul und erweitert die DRAM-Produktion. Zusätzlich planen sie M15X(eXtension), eine neue Fertigungsanlage in Cheongju, die Anfang 2025 fertiggestellt sein soll.
