Relatório de impacto

O impacto da escassez de memórias impulsionada pela IA para compradores

Como a procura por IA está a transformar componentes de memória, disponibilidade e preços

Os preços de DRAM subiram 172% em termos homólogos até ao 3.º trimestre de 2025, impulsionados pela procura insaciável de memória de alta largura de banda por data centers de IA. A Z2Data analisa as dinâmicas por trás da pressão: transferências de capacidade HBM na Micron, Samsung e SK Hynix, aceleração da obsolescência DDR4 e choques acentuados de preço e prazo de entrega.

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Conceito de escassez de memórias para IA com módulos DRAM e HBM em falta
172% Aumento do preço da DRAM YoY (T3)
200%+ Subida média do preço da memória desde jan. 2024
62% Queda de existências dos principais fabricantes (jun.–dez.)
46% Referências DDR4 já em fim de vida (2025)
3 Empresas dominam a DRAM
2027 A escassez pode prolongar-se até
Visão geral

Gradualmente, depois de repente

Os preços de DRAM e NAND subiram de forma lenta até ao final de 2024 e no início de 2025, acelerando a partir de setembro. No final do terceiro trimestre, a imprensa noticiava aumentos de 172% nos preços da DRAM em termos homólogos.

Nos últimos meses de 2025, hiperescaladores como a AWS, Microsoft Azure e Google Cloud absorveram aumentos de DRAM de até 50% em outubro e, mesmo assim, só tiveram entregas parciais. Nos casos mais extremos, os preços de contrato de DDR5 subiram até 100% de um mês para o outro, sendo os data centers de IA um dos principais catalisadores.

No final do terceiro trimestre, a imprensa noticiava que os preços da DRAM tinham aumentado uns impressionantes 172% face ao ano anterior, com os maiores saltos a ocorrerem a partir de setembro.

Visão geral da escassez de chips de memória DRAM e HBM impulsionada por IA entre fornecedores
Linha temporal

Principais acontecimentos de 2025–2026 no mercado de memória

10 set. A Citigroup alerta que a procura de DRAM e NAND irá aumentar significativamente até ao quarto trimestre de 2025 e ao longo de 2026, prevendo uma possível escassez de fornecimento.
17 set. Dados da DigiTimes mostram preços de contrato de DRAM e NAND até 20% mais altos para o quarto trimestre, atribuídos à capacidade direcionada para a infraestrutura de IA.
13 de out A Reuters, citando a TrendForce, refere que os preços da memória para muitos chips DRAM aumentaram mais de 170% em termos homólogos no terceiro trimestre.
14 de nov A SMIC afirma que o receio de escassez de memória está a levar os clientes a adiar encomendas de outros chips para 2026.
1 de dez A TeamGroup avisa que a escassez de memória é iminente e poderá prolongar-se até 2027.
4 de dez A Micron anuncia a descontinuação da sua linha de memória Crucial para consumidores.
6 de jan A Counterpoint declara uma fase “hiper-otimista” da memória, prevendo um novo aumento de preços de 40–50% no primeiro trimestre de 2026.
6 de jan A Samsung diz que a escassez levará a aumentos de preços em todo o setor eletrónico, afetando todos os intervenientes.
Stacks de memória HBM de alta largura de banda a impulsionar a escassez de chips de memória para IA
A causa principal

A procura da IA está a deixar o mercado de memória faminto

A memória de elevada largura de banda (HBM) é essencial para aceleradores de IA, fornecendo as taxas de transferência de dados que os modelos de IA requerem para treino e inferência. Para responder às necessidades dos data centers de IA, a Micron, a Samsung e a SK Hynix estão a desviar a produção de DRAM, NAND e outros produtos tradicionais para a HBM, reduzindo gradualmente a oferta dos restantes.

Os sinais são claros: a SK Hynix converteu a sua fábrica M10 para linhas de embalagem de HBM e a Samsung está a antecipar a unidade fabril Pyeongtaek P4 para o final de 2026, prevendo-se que as encomendas de HBM tripliquem em 2025. Grande parte desta expansão acontece à custa das linhas de DRAM.

O reverso de cada anúncio de expansão de HBM é uma restrição acrescida do mercado de memória convencional, com a procura a crescer perante uma oferta estagnada, ou mesmo a diminuir.

Onde é produzida

Localizações de produção de DDR e HBM

A Micron, a Samsung e a SK Hynix estão a dedicar uma parte crescente da sua capacidade de fabrico e montagem de CI à HBM. O quadro abaixo apresenta os principais locais DDR e HBM destas empresas, baseando-se na base de dados da Z2Data.

Fabricante Tipo de memória Unidade fabril País Local
Micron DDR5 / HBM Fabrico Japão Hiroshima
Micron DDR5 Fabrico Taiwan Taichung
Micron DDR5 Montagem de CI China Xi’an
Micron DDR5 / HBM (planeado) Fabrico EUA Boise, Idaho
Samsung DDR5 / HBM Fabrico Coreia do Sul Pyeongtaek (P1L, P2L, P3L)
Samsung DDR5 Fabrico Coreia do Sul Hwaseong
Samsung DDR5 Montagem de CI Coreia do Sul Onyang
Samsung HBM Fabrico Coreia do Sul Hwaseong (Line 13, 15, 17)
Samsung HBM Montagem de CI Coreia do Sul Cheonan, Onyang
SK Hynix DDR5 / HBM Fabrico Coreia do Sul Icheon (M16, M14)
SK Hynix DDR5 Fabrico China Wuxi
SK Hynix HBM Montagem de CI Coreia do Sul Icheon (M10F)
SK Hynix HBM Fabrico Coreia do Sul Cheongju (M15X)
Obsolescência

DDR4 está a chegar rapidamente ao fim de vida (EOL)

As tendências de EOL mostram quais as prioridades dos fabricantes. Em 2023, quase três quartos das referências DDR4 na base de dados da Z2Data estavam ativas e apenas 26% obsoletas. Em 2024, mais de um terço já estavam em EOL e, em 2025, quase metade dos componentes DDR4 já são obsoletos — um salto de 12 pontos percentuais num só ano, a coincidir com a ascensão da HBM.

A decisão da Micron de descontinuar a linha Crucial é simbólica: a empresa está a dar prioridade à procura dos clientes de IA por HBM em detrimento das suas memórias de gerações anteriores.

DDR4 ativa vs. EOL (fim de vida) referências (2023–2025)

Preço e prazo de entrega

Custos e prazos de entrega em forte subida

Entre janeiro de 2024 e janeiro de 2025, o preço médio de um chip de memória na base de dados da Z2Data subiu 160%. No final de novembro de 2025, estava mais de 200% acima do valor de janeiro de 2024. Para os chips dos principais fabricantes, o stock total diminuiu quase 62% entre o início de junho e o início de dezembro, enquanto preços e prazos de entrega continuaram a subir.

Preço e prazo de entrega dos principais chips de memória

Data Prazo médio de entrega Preço médio
1 de jun de 2025 13,5 sem $11.17
10 de ago de 2025 17 sem $13.58
26 de out de 2025 20,5 sem $15.10
7 de dez de 2025 21,5 sem $19.05

-62%

stock dos principais fabricantes, jun–dez

~2×

prazos de entrega face ao início do ano

Estrutura do Mercado

Poucos intervenientes, sem válvula de escape

O mercado de DRAM é dominado apenas por três empresas: Micron, Samsung e SK Hynix. A produção de DRAM exige competências altamente especializadas e, embora mais empresas possam montar módulos, só algumas conseguem executar todas as etapas da fabricação.

Isto significa que cada decisão de capacidade tomada por estas três empresas repercute-se em todo o mercado. Não existem fabricantes prontos a preencher o vazio sempre que um grande interveniente muda para HBM, pelo que a oferta diminui e os preços sobem.

Três principais fabricantes de memória que controlam o fornecimento de chips de memória para IA
Perspetiva & Mitigação

Um problema que dificilmente irá desaparecer

Ao contrário do litígio sobre a Nexperia, cujos piores efeitos foram de curta duração, a escassez de memória é sistémica: a procura crescente de HBM está a desviar capacidade fabril da memória tradicional, e alguns especialistas antecipam restrições até 2027. A questão já não é se o mercado irá manter-se volátil, mas sim como reduzir a exposição. A plataforma da Z2Data ajuda os compradores a passarem de uma abordagem reativa para monitorização proativa:

Part Risk Manager

Part Risk Manager

Monitorizar preços, stocks e prazos de entrega para cada componente de memória em todos os distribuidores em tempo real, definir alertas por componente e usar o Lifecycle Forecasting para identificar quais os DDR mais expostos ao EOL antes que a escassez impacte a sua linha.

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Ilustração técnica do acompanhamento de preços, prazos de entrega e ciclo de vida de componentes de memória

Antecipar picos de preços de memória e risco de EOL

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