Informe de Impacto

Qué significa la escasez de chips de memoria impulsada por IA para los compradores

Cómo la demanda de IA está transformando la disponibilidad y los precios de los componentes de memoria

Los precios de DRAM aumentaron un 172 % interanual para el tercer trimestre de 2025, a medida que los centros de datos de IA impulsaron una demanda insaciable de memoria de alto ancho de banda. Z2Data analiza las fuerzas que generan esta presión: cambios de capacidad HBM en Micron, Samsung y SK Hynix, aceleración de la obsolescencia de DDR4 y fuertes subidas de precios y plazos de entrega.

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Concepto de escasez de chips de memoria para IA con módulos DRAM y HBM en cantidad limitada
172% Aumento del precio de DRAM año contra año (T3)
200%+ Subida promedio de precios de memoria desde ene 2024
62% Caída del inventario de principales fabricantes (jun–dic)
46% MPN de DDR4 ahora fin de vida (EOL, 2025)
3 Compañías que dominan el mercado DRAM
2027 La escasez podría extenderse hasta
Resumen

De forma gradual, luego de golpe

Los precios de DRAM y NAND aumentaron paulatinamente a finales de 2024 y en 2025, y luego se aceleraron desde septiembre. Al cierre del T3, los medios de comunicación informaron un alza asombrosa del 172 % interanual en precios de DRAM.

En los últimos meses de 2025, hiperescalares como AWS, Microsoft Azure y Google Cloud absorbieron aumentos en DRAM de hasta un 50 % en octubre y aun así recibieron solo entregas parciales. En los casos más extremos, los precios de contrato de DDR5 se dispararon hasta un 100 % de un mes a otro, siendo los centros de datos de IA uno de los principales impulsores.

Al final del T3, los medios reportaban que los precios de DRAM habían aumentado un asombroso 172 % respecto al año anterior, con los mayores incrementos a partir de septiembre.

Resumen de la escasez de chips de memoria DRAM y HBM impulsada por IA entre proveedores
Cronología

Eventos clave de 2025–2026 en el mercado de memoria

10 sep Citigroup advierte que la demanda de DRAM y NAND aumentará de manera pronunciada hasta el cuarto trimestre de 2025 e incluso en 2026, y prevé una posible escasez de suministro.
17 sep Datos de DigiTimes muestran que los precios de contrato de DRAM y NAND para el T4 aumentaron hasta un 20 %, atribuibles a la capacidad dedicada a la infraestructura de IA.
13 oct Reuters, citando a TrendForce, informa que los precios de memoria para muchos chips DRAM subieron más del 170 % interanual en el T3.
14 nov SMIC afirma que el temor a la escasez de memoria está llevando a los clientes a retrasar pedidos de otros chips para 2026.
1 dic TeamGroup advierte que una escasez de memoria es inminente y podría durar hasta 2027.
4 dic Micron anuncia la descontinuación de su línea de memoria Crucial para consumidores.
6 ene Counterpoint declara una fase "hiperalcista" para la memoria, pronosticando otro aumento del 40-50 % en precios para el T1 de 2026.
6 ene Samsung afirma que la escasez impulsará aumentos de precios en toda la industria electrónica y afectará a todos.
Pilas de memoria HBM de alto ancho de banda impulsando la escasez de chips de memoria para IA
Causa Principal

El apetito de IA está agotando el mercado de memoria

La memoria de alto ancho de banda (HBM) es esencial para los aceleradores de IA, proporcionando las tasas de transferencia de datos que los modelos de IA requieren para entrenamiento e inferencia. Para abastecer a los centros de datos IA, Micron, Samsung y SK Hynix están desviando producción de DRAM, NAND y otros componentes tradicionales hacia HBM, reduciendo gradualmente el suministro de los demás productos.

Las señales son claras: SK Hynix convirtió su planta M10 para líneas de encapsulado HBM, y Samsung adelanta la puesta en marcha de su instalación P4 en Pyeongtaek para finales de 2026, con pedidos HBM que se prevé más que tripliquen durante 2025. Gran parte de esta expansión se realiza a expensas directas de las líneas de DRAM.

Toda expansión de HBM implica un mayor recorte en el mercado de memoria tradicional, donde la demanda creciente se encuentra con un suministro estancado e incluso a la baja.

Lugar de fabricación

Ubicaciones de producción de DDR y HBM

Micron, Samsung y SK Hynix están asignando una proporción creciente de su capacidad de fabricación y ensamblaje de CI a HBM. La siguiente tabla muestra sus principales sitios de DDR y HBM, según la base de datos de Z2Data.

Fabricante Tipo de memoria Instalación País Sitio
Micron DDR5 / HBM Fabricación Japón Hiroshima
Micron DDR5 Fabricación Taiwán Taichung
Micron DDR5 Ensamblaje de CI China Xi’an
Micron DDR5 / HBM (planificado) Fabricación EE. UU. Boise, Idaho
Samsung DDR5 / HBM Fabricación Corea del Sur Pyeongtaek (P1L, P2L, P3L)
Samsung DDR5 Fabricación Corea del Sur Hwaseong
Samsung DDR5 Ensamblaje de CI Corea del Sur Onyang
Samsung HBM Fabricación Corea del Sur Hwaseong (Line 13, 15, 17)
Samsung HBM Ensamblaje de CI Corea del Sur Cheonan, Onyang
SK Hynix DDR5 / HBM Fabricación Corea del Sur Icheon (M16, M14)
SK Hynix DDR5 Fabricación China Wuxi
SK Hynix HBM Ensamblaje de CI Corea del Sur Icheon (M10F)
SK Hynix HBM Fabricación Corea del Sur Cheongju (M15X)
Obsolescencia

DDR4 se acerca rápidamente a su fin de vida (EOL)

Las tendencias de fin de vida (EOL) revelan las prioridades de los fabricantes. En 2023, casi tres cuartas partes de los MPN de DDR4 en la base de datos de Z2Data estaban activos, con solo un 26 % obsoletos. Para 2024, más de un tercio había alcanzado EOL y en 2025 casi la mitad de todas las piezas DDR4 ya son obsoletas, un aumento de 12 puntos en un solo año, coincidiendo con el auge de HBM.

La decisión de Micron de discontinuar su línea Crucial es emblemática: la compañía está priorizando la demanda de clientes de IA por HBM sobre sus productos de memoria antiguos.

MPN de DDR4 activos vs. EOL (2023–2025)

Precio y plazo de entrega

Disparada de costes y plazos de entrega

De enero de 2024 a enero de 2025, el precio promedio de un chip de memoria en la base de datos de Z2Data subió un 160 %; a fines de noviembre de 2025 se había incrementado más del 200 % respecto a enero de 2024. Para los chips de los principales fabricantes, el inventario total cayó casi un 62 % de principios de junio a principios de diciembre, mientras los precios y los plazos de entrega aumentaban.

Precio y plazo de entrega de los principales chips de memoria

Fecha Plazo de entrega promedio Precio promedio
1 jun 2025 13,5 sem $11.17
10 ago 2025 17 sem $13.58
26 oct 2025 20,5 sem $15.10
7 dic 2025 21,5 sem $19.05

-62%

Inventario de principales fabricantes, jun–dic

~2×

Plazos de entrega respecto al inicio del año

Estructura del mercado

Pocos actores, sin válvula de alivio

El mercado de DRAM está dominado por solo tres empresas: Micron, Samsung y SK Hynix. La producción de DRAM requiere una experiencia altamente especializada, y aunque más empresas puedan ensamblar módulos, solo unas pocas pueden ejecutar todas las etapas de fabricación.

Esto significa que cada decisión de capacidad tomada por estos tres impacta a todo el mercado. No existen fabricantes listos para suplir el vacío cuando un actor principal cambia a HBM, por lo que la oferta se restringe y los precios suben.

Tres fabricantes dominantes de memoria controlando la oferta de chips de memoria para IA
Perspectivas y mitigación

Un problema que no va a desaparecer

A diferencia de la disputa de Nexperia, cuyos peores efectos fueron de corta duración, la escasez de memoria es sistémica: la creciente demanda de HBM desvía capacidad de fabricación de memoria tradicional, y algunos expertos anticipan escasez hasta 2027. La cuestión ya no es si el mercado seguirá volátil, sino cómo reducir la exposición. La plataforma de Z2Data ayuda a los compradores a pasar de una gestión reactiva a una monitorización proactiva:

Part Risk Manager

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Siga precios, inventario y plazos de entrega de cada componente de memoria en todos los distribuidores al instante, configure alertas a nivel de componente y utilice Lifecycle Forecasting para identificar los DDR con mayor riesgo de EOL antes de que una escasez afecte su línea.

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